台积电假设7nm:450毫米晶圆。EUV光刻

时间:2019-08-20 11:55

台积电假设7nm:450毫米晶圆。EUV光刻
2012-10-2711:30:33来源:技术快作者:Q编辑上一篇:Q上面的文字评论(0)
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台积电最近期待半导体技术的未来,强调450毫米大晶圆和极紫外光刻(EUV)的重要性,并认为7纳米工艺在10纳米绝对不可分割。纳米。
台积电CEO张忠谋指出:10nm以上的hellip工艺需要极紫外光刻和450mm(晶圆)。&Hellip;在我看来,甚至10nm并不总是必要的,而极端的紫外线也是经济上达到7nm的唯一途径。
即使在10纳米级,极端的紫外线性能也可以显着降低成本。
当然,您可以使用2x,3x或4x图案曝光,但您可以避免这种情况。
这取决于极紫外线的高性能(荷兰的ASML)。
目前,6个ASX NXE:3100 EUV预生产光刻系统每小时可使用11W光源生产多达7个晶圆。
今年夏天,ASML和Cymer(由前者收购)取得了重大进展。在实验室中,用30W光源替换NXE:3300B系统每小时可生产18个晶圆。
ASML的最终目标是一个105 W的光源,每小时有69个晶圆,并计划于2014年开始生产。
根据路线图,台积电将在2016 - 2017年测试450mm晶圆,然后在2018年开始量产。
匹配过程的特定节点未明确指定,并且最初需要10 nm或7 nm的成熟度。
张忠谋强调,450毫米(晶圆)是节省成本的另一个促进因素。
预计450纳米(晶圆)将在7纳米工艺中引入或更快。
英特尔的计划应该是10纳米,但我倾向于7纳米。
此外,张忠谋最近在台湾吐南购买了占地14万平方米的场地,距离台北新竹科学园约20分钟车程,建立了一个专门的450毫米晶圆和工艺测试研发中心显示使用7nm


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